SKハイニックス ｢高性能HBM｣で果たした下剋上 サムスンを含む韓国勢と米マイクロンの三つ巴

米韓3社がしのぎを削る。決め手はニッチを攻めた研究開発だった。

SKは現行世代の「HBM3」でリードしたが、すでに次世代品の競争が過熱（写真：SKハイニックス）

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米エヌビディアのGPU（画像処理装置）をはじめ、AI（人工知能）半導体の需要が急速に高まるにつれ、新たな分野への注目も、がぜん高まっている。その筆頭が「HBM」だ。

HBMとは広帯域幅メモリーを指し、超高性能なDRAMを意味する。DRAMは、CPU（中央演算処理装置）やGPUなど演算用のロジック半導体で計算する際、一時的にデータの読み出し・書き込みを行うための記憶の保存先として使われる。

HBMは一時記憶装置として段違いの容量や読み書きのスピードを満たすよう、DRAMを何層にも重ね合わせることで、1つの超高性能DRAMとして使えるようにしたものだ。主にデータセンターのサーバーで行われるAIモデルの学習や推論に必要で、スマホやパソコンで使われる一般的なDRAMに比べて処理できる計算量が圧倒的に多い。

業界を牽引するSKハイニックス

現状、DRAM市場全体を寡占しているのは、韓国サムスン電子、韓国SKハイニックス、米マイクロン・テクノロジーの3社で、中でもサムスンの存在感が大きく世界シェアの4割強を持つ。が、高性能のHBM市場の5割を握って業界を牽引するのは、SKハイニックスだ（下図）。