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崖っ縁のニコン、キヤノン 次世代露光装置で完敗

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一度は絶望視された次世代技術が、実用化へ向けて動きだした。

蘭ASMLは、2018年に約20台のEUV(極端紫外線)露光装置を出荷する見通しだ。製造装置の中でも半導体ウエハに回路を描く露光装置は、微細化技術の要。ASMLは1990年代からEUVの技術開発に着手、光の波長をより短くすることで実現を目指してきた。

現行の最先端はArF(フッ化アルゴン)液浸技術が用いられており、一度の露光で38ナノメートル、複数回の露光により19ナノメートルまで微細化が可能となる。これに対しEUVでは、1回の露光で13ナノメートルが実現できるようになる。

日本の半導体メーカーとともに日本の露光装置もシェアを落とした

これまでASMLが1兆円近い研究開発費を投じても、光源の出力の弱さがネックとなり実用化が進まなかった。ニコンの牛田一雄社長は「EUVはコンコルド(超音速飛行を実現したが商業的に失敗した旅客機)。スジの悪い技術」と発言し、開発競争から撤退。キヤノンも参加していない。しかし1年前から潮目が変わり、最大の難関だった光源の出力の弱さが解消されつつある。

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