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東芝メモリは96層で攻勢、続くサムスンとの我慢比べ 3次元化で進むメモリー容量拡大競争

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最新工場を建設するなど巨額投資を進めるが、市況悪化で赤字は深刻だ。

夜景スポットとしても有名なコンビナート群がある三重県四日市市。四日市港から5キロメートルほど内陸の丘陵地帯に、66万平方メートルもの工場が広がる。スマートフォンやデータセンターの記憶媒体として欠かせないメモリー半導体「NAND型フラッシュメモリー」を造る東芝メモリの主力工場だ。1993年に稼働開始し、最新の第6棟までつねに最先端メモリーの開発から量産を一貫して担っており、フラッシュメモリーでは世界最大の工場だ。

メモリーの競争力のカギは、限られたスペースにいかに大量のデータを書き込めるかだ。そのためには、半導体デバイスの基板上に細かい線で回路を描いて機能を集積する微細化技術が欠かせない。回路線幅を狭めることでデータを保存する「セル」を大量に収容できる。

ただ微細化は電気的な干渉も起きやすく限界に近づいており、NANDでは新たにセルを上に積層化して収容場所を確保する「3次元(3D)化」が今の技術革新の焦点になっている。平屋建てから高層ビルにするイメージだ。

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