中国企業が最先端半導体の開発で躍進 中国メーカーで初めて128層3D NANDの製品化

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紫光集団(訳注:清華大学を母体とする国策半導体ハイテク企業)の傘下でNAND型フラッシュメモリーの開発・製造を手がける長江存儲科技(YMTC)は、4月13日、記憶素子を128層積み重ねた3次元NAND型フラッシュメモリー(3D NAND)の開発に成功したと発表した。

中国メーカーによる128層3D NANDの製品化はこれが初めて。2020年末~21年上半期の量産開始を目指す。グローバル半導体市場におけるこの分野の国産製品の空白を埋めることが期待されている。

128層クラスの3D NANDは、世界の大手半導体メーカーが製品化を競う激戦区だ。19年6月、韓国のSKハイニックスが128層の量産で先陣を切り、同年8月にサムスン電子が136層で続いた。米国のマイクロン・テクノロジーは20年4~6月期から128層の量産を始めるほか、日本のキオクシア(旧東芝メモリ)も米国のウエスタンデジタルと共同開発した112層の量産を20年下半期に開始する計画だ。

先行する海外勢と比べると、YMTCの研究開発はまだ3カ月から1年程度の差をつけられている。しかし16年7月に設立されたばかりでフラッシュメモリー業界の新参者にもかかわらず、わずか4年弱で32層から64層、さらに128層への飛躍を実現した。

(財新記者:張而弛、原文は4月13日配信)

中国の独立系メディア「財新」の記事は東洋経済オンラインでも配信しています。
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