中国半導体｢SMIC｣の深刻な社内対立 研究開発部門のナンバー2が辞任

中国の国際半導体博覧会で講演するSMICの周子学董事長。内憂外患を抱える（ロイター/アフロ）

中国の半導体受託生産（ファウンドリー）最大手、中芯国際集成電路製造（SMIC）は7月4日、研究開発部門のナンバー2を務める呉金剛氏が辞任を申し出たと明らかにした。理由は「一身上の都合」としており、呉氏は今後、SMICのいかなる職務にも就かないという。

呉氏はSMICの創業2年目の2001年に入社し、現任の経営幹部の中では職歴が長い。14年に研究開発部門の副総裁に着任して以来、FinFET（フィンフェット）と呼ばれる3次元構造のトランジスタの先端プロセス技術開発、およびそのプロジェクトマネジメントを担当してきた。

SMICの内情に詳しい関係者によれば、呉氏の主な功績は回線幅14ナノメートルのFinFETプロセスと、同28ナノメートルのHKMG（高誘電率絶縁膜／金属ゲート電極）プロセスの開発に道筋をつけたことだという。とくに14ナノメートルプロセスの開発では、SMICの共同CEO（最高経営責任者）で研究開発部門のトップを務める梁孟松氏の有能な右腕として活躍した。

SMICの情報開示によれば、呉氏の辞任が同社の研究開発に大きな影響を与えることはないという。また、呉氏は辞任後12カ月以内に競合他社に転職したり、（SMICでの職務知識を基にした）サービスを競合他社に提供したりすることは許されない。

不仲は公然の秘密

同社の研究開発部門の上層部でもめ事が生じるのは、呉氏の辞任が初めてではない。20年12月、SMICはファウンドリー世界最大手の台湾積体電路製造（TSMC）で研究開発部門を長年率いた蒋尚義氏を、同社のナンバー2として迎え入れた。だが、これが梁氏の不満を引き起こし、梁氏が董事会（取締役会に相当）に辞任を申し出る騒ぎにまでなった。