SiCパワー半導体大手の米ウルフスピードが破産危機→提携先のルネサスは2800億円減損リスク、巨額投資のロームは赤字転落で方針転換

加工が難しいSiCウェハーは近年、大口径化が進んで生産性向上が期待されていたが……（編集部撮影）

「まさに事故ですよね。2年前にはこんなことになるなんて誰も思っていなかった」

次世代パワー半導体として期待されてきたSiCパワー半導体が大荒れだ。

5月21日、半導体メーカー・ルネサスエレクトロニクス株が一時4％下落した。発端となったのは、アメリカの大手SiCパワー半導体メーカー・ウルフスピードが破産法の申請に向けて動いていると報じられたことだ。

巨額の減損損失リスク

ウルフスピードは、SiCパワー半導体や、その基板となるSiCウェハーを手がけるトップメーカーの1社。同社に対して、ルネサスは2023年に20億ドル（約2860億円）を「預託金」という形で貸し付ける契約を結んでいる。

2023年にSiCウェハー供給契約を提携した、ルネサスエレクトロニクスの柴田英利CEO（左）と、ウルフスピードのグレッグ・ロウ元CEO（右、2024年11月に辞任）（写真：ルネサスエレクトロニクス）

仮にウルフスピードが破綻して回収が不可能になれば、巨額の減損損失もありうる。冒頭で、半導体メーカー関係者が“事故”と表現したのはこのことだ。

そもそも、なぜルネサスが同じ半導体メーカーであるウルフスピードに対して20億ドルという巨額の貸し付けを行ったのか。この背景には、ルネサスだけでなく市場全体が抱える、SiCパワー半導体という技術領域の特殊性がある。

家電や自動車、産業機械などで幅広く用いられ、電力の制御や変換を行っているのがパワー半導体だ。中でも、材料としてシリコンではなく炭化ケイ素（SiC）を用いる「SiCパワー半導体」は、シリコンよりも高い電圧に耐えられ、省電力性にも優れるという特徴を持つ。特に、EVの高性能化のためには、SiCパワー半導体が欠かせない。