1/2 PAGES
INDEX
中国の人民元建て株式市場で時価総額トップとなったメモリー半導体メーカー大手の長鑫科技（CXMT）は現行より1世代進んだ第5世代DRAM基幹技術に基づくメモリー半導体の量産を開始した。
9月20日、安徽省合肥市で開催された「2026世界製造業大会」で、第5世代技術によるDRAMの量産を開始したと発表した。同社によると、同プラットフォームでは、1枚のウエハーから切り分けられるチップの数が前世代に比べ少なくとも5割えたほか、記憶密度、消費電力、コスト管理いずれの面でも性能が向上したという。
サムスンやSKを微細化技術で猛追
CXMTのG5基幹技術は、独自の4重露光技術を採用、回路の微細度を線幅11.95ナノメートル相当まで微細化した。（訳注：多重露光技術は何回かに分けて回路パターンの露光を行うことで、世界最先端の極端紫外線＝EUV＝液浸露光装置なしでもウエハー上に高微細度の回路を描き出す技術。アメリカ政府の先端半導体技術輸出規制の影響を回避するために用いられているが、ちょっとした露光のズレで不良品となるため、歩留まり率は低いとされる）
同業他社の動きを見れば、韓国の半導体大手サムスン電子は2023年5月、第5世代となる12ナノメートルプロセスのメモリー製品の量産開始を発表、26年2月には、第6世代プロセスを採用したHBM4（第4世代高帯域幅メモリー）の量産開始を宣言した。HBMは複数のDRAMチップを垂直に積み重ねたもので、AI（人工知能）向け需要が爆発的に増加している。
韓国の半導体大手のSKハイニックスとアメリカの半導体大手マイクロン・テクノロジーも、第6世代技術による製品の量産・出荷をすでに開始している。
2/2 PAGES
※ログイン後、コメント入力が可能です。