中国半導体の「国産化」が止まらない。
米商務省が中国のファーウェイ(華為技術)を安全保障上の懸念から「エンティティーリスト」に追加し、アメリカ企業からの部品・技術の輸出を事実上禁じたのは2019年。22~23年には、先端半導体を製造するための装置の対中輸出も規制した。日本や、最先端半導体の製造に欠かせないEUV(極端紫外線)露光装置を独占するASMLを擁しているオランダも、アメリカの規制に追随した。
だが、規制の網が広がるほど中国は国産化を加速させている。
国産化率は8年で4%→21%、部品の外国依存が課題
中国は15年に産業政策「中国製造2025」を発表していた。そこでは半導体の自給自足を重点目標に掲げており、アメリカの規制はむしろ国産化の追い風になったといっても過言ではない。中国製造業市場に特化した調査会社MIRの資料によれば、半導体製造装置の前工程における中国の国産化率は、17年の4%から25年には21%へと跳ね上がった。
ただ、国産化の程度は装置の種類による差が大きい。
ウェハー上に薄膜を形成するPVD装置の国産化率は50%に達し、ウェハーの表面を削って回路を形成するエッチング装置も37%に上る。いずれもNAURAやAMECといった中国の代表的な装置メーカーが手がけている装置だ。
一方で、回路パターンをウェハーに焼き付ける露光装置の国産化率はわずか2%にとどまる。






















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